參加第一屆亞太碳化硅及相關(guān)材料會(huì)議

發(fā)布時(shí)間：

2018-07-27

概要：

2018年7月9號(hào)參加了在北京舉辦的第一屆亞太碳化硅及相關(guān)材料會(huì)議，本次會(huì)議由中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟、中科院物理所和北京硅酸鹽學(xué)會(huì)發(fā)起并主辦第一屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國(guó)際會(huì)議,此次會(huì)議主要圍繞寬禁帶半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)技術(shù)、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關(guān)設(shè)備研發(fā)等領(lǐng)域開(kāi)展廣泛交流。

本次會(huì)議涉及的報(bào)告內(nèi)容較多、領(lǐng)域較廣，為了掌握本專(zhuān)業(yè)的知識(shí)，同時(shí)了解客戶(hù)端的需要有針對(duì)地聆聽(tīng)以下主要報(bào)告:

1、寬禁帶碳化硅半導(dǎo)體晶體研究及產(chǎn)業(yè)化------陳小龍

2、SiC器件在軌道交通中的應(yīng)用前景------劉國(guó)友

3、X射線(xiàn)在碳化硅晶體檢測(cè)中的實(shí)際應(yīng)用------甄偉

4、4H-SiC中三角形缺陷結(jié)構(gòu)及成因研究進(jìn)展-----孫國(guó)勝

5、4H-SiC功率DMOSFETS的進(jìn)展------柏松

6、降低4H-SiC外延層中的形態(tài)缺陷-------李忠輝

7、SiC器件在未來(lái)電網(wǎng)中的應(yīng)用--------邱宇峰

8、SiC電力半導(dǎo)體器件在電動(dòng)汽車(chē)上的應(yīng)用-------濱田公守

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